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CTC2F-1R2K

CTC2F-1R2K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-1R2K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 740 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 180mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
740 mA
DC-Widerstand (DCR)
180mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-1R2K.

Induktivität
1.2 µH

CTC2F-1R2K hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
740 mA

CTC2F-1R2K ist für 740 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
180mOhm

CTC2F-1R2K hat einen DC-Widerstand von 180mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom740 mA
DC-Widerstand (DCR)180mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 180 MOHM TH
Seriectc2f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz40 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz135MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

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