Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CLT32-80N von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 80 nH, Nennstrom 20 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.9mOhm, Gehäusegröße 4-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CLT32-80N.
CLT32-80N hat eine Induktivität von 80 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CLT32-80N ist für 20 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CLT32-80N hat einen DC-Widerstand von 1.9mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CLT32-80N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 4-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 80 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 20 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.9mOhm |
| Sättigungsstrom | 36A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 165°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 4-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 4-SMD |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 80NH 20A 1.9 MOHM SMD |
| Serie | CLT32 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 4-SMD |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.106" (2.70mm) |
