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CT0201LSF-R10J

CT0201LSF-R10J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0201LSF-R10J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 430 mA Typ, Gleichstromwiderstand (DCR) 410mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
430 mA Typ
DC-Widerstand (DCR)
410mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0201LSF-R10J.

Induktivität
100 nH

CT0201LSF-R10J hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
430 mA Typ

CT0201LSF-R10J ist für 430 mA Typ ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
410mOhm

CT0201LSF-R10J hat einen DC-Widerstand von 410mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität100 nH
Toleranz±5%
Nennstrom430 mA Typ
DC-Widerstand (DCR)410mOhm
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 100NH 410 MOHM SMD
Seriect0201lsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz1.5GHz
MontageartSurface Mount

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