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CT0402CSF-82NJ

CT0402CSF-82NJ

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-82NJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 nH, Nennstrom 50 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.33Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
82 nH
Nennstrom
50 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
1.33Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-82NJ.

Induktivität
82 nH

CT0402CSF-82NJ hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
50 mA Max

CT0402CSF-82NJ ist für 50 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.33Ohm

CT0402CSF-82NJ hat einen DC-Widerstand von 1.33Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität82 nH
Toleranz±5%
Nennstrom50 mA Max
DC-Widerstand (DCR)1.33Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 82NH 1.33 OHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz20 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz1.7GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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