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CT0402CSF-R10J

CT0402CSF-R10J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-R10J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 30 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.87Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
30 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
1.87Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-R10J.

Induktivität
100 nH

CT0402CSF-R10J hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
30 mA Max

CT0402CSF-R10J ist für 30 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.87Ohm

CT0402CSF-R10J hat einen DC-Widerstand von 1.87Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität100 nH
Toleranz±5%
Nennstrom30 mA Max
DC-Widerstand (DCR)1.87Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 100NH 1.87 OHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz20 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz1.3GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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