Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402QWF-R10G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 120 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.52Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402QWF-R10G.
CT0402QWF-R10G hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT0402QWF-R10G ist für 120 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT0402QWF-R10G hat einen DC-Widerstand von 2.52Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von CT0402QWF-R10G weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 120 mA Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.52Ohm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 100NH 2.52 OHM SMD |
| Serie | ct0402qwf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.5GHz |
| Montageart | Surface Mount |
