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CT0603CSF-11NJ

CT0603CSF-11NJ

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0603CSF-11NJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 11 nH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 86mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
11 nH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
86mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0603CSF-11NJ.

Induktivität
11 nH

CT0603CSF-11NJ hat eine Induktivität von 11 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

CT0603CSF-11NJ ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
86mOhm

CT0603CSF-11NJ hat einen DC-Widerstand von 86mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität11 nH
Toleranz±5%
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)86mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 11NH 86 MOHM SMD
Seriect0603csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz33 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz4GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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