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CT0805CSF-100G

CT0805CSF-100G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-100G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 nH, Nennstrom 600 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 nH
Nennstrom
600 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-100G.

Induktivität
10 nH

CT0805CSF-100G hat eine Induktivität von 10 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA Max

CT0805CSF-100G ist für 600 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm

CT0805CSF-100G hat einen DC-Widerstand von 100mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität10 nH
Toleranz±2%
Nennstrom600 mA Max
DC-Widerstand (DCR)100mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10NH 100 MOHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz60 Min @ 500 MHz
Eigenresonanzfrequenz4.2GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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