CT1008CSF-562G

CT1008CSF-562G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-562G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 µH, Nennstrom 240 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 7Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
240 mA
DC-Widerstand (DCR)
7Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-562G.

Induktivität
5.6 µH

CT1008CSF-562G hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
240 mA

CT1008CSF-562G ist für 240 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7Ohm

CT1008CSF-562G hat einen DC-Widerstand von 7Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität5.6 µH
Toleranz±2%
Nennstrom240 mA
DC-Widerstand (DCR)7Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 5.6UH 7 OHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz18 Min @ 7.9 MHz
Eigenresonanzfrequenz55MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount

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