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TMPA1265HTV-5R6MN-D

TMPA1265HTV-5R6MN-D

TAI-TECH

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMPA1265HTV-5R6MN-D von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 µH, Nennstrom 15 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 9.2 mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
15 A
DC-Widerstand (DCR)
9.2 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMPA1265HTV-5R6MN-D.

Induktivität
5.6 µH

TMPA1265HTV-5R6MN-D hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
15 A

TMPA1265HTV-5R6MN-D ist für 15 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
9.2 mOhm Max

TMPA1265HTV-5R6MN-D hat einen DC-Widerstand von 9.2 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität5.6 µH
Toleranz±20%
Nennstrom15 A
DC-Widerstand (DCR)9.2 mOhm Max
Sättigungsstrom18 A Max
LieferantTAI-TECH
BeschreibungIND 5.6UH 9.2MOHM 15A
ProduktstatusActive
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

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