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CT1008LDLSF-4R7J

CT1008LDLSF-4R7J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008LDLSF-4R7J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 650 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 435mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
650 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
435mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008LDLSF-4R7J.

Induktivität
4.7 µH

CT1008LDLSF-4R7J hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA Max

CT1008LDLSF-4R7J ist für 650 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
435mOhm

CT1008LDLSF-4R7J hat einen DC-Widerstand von 435mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±5%
Nennstrom650 mA Max
DC-Widerstand (DCR)435mOhm
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 435 MOHM SMD
Seriect1008ldlsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz48MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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