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CT1008LSF-103J

CT1008LSF-103J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008LSF-103J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.95Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.95Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008LSF-103J.

Induktivität
10 µH

CT1008LSF-103J hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

CT1008LSF-103J ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.95Ohm

CT1008LSF-103J hat einen DC-Widerstand von 2.95Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±5%
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)2.95Ohm
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 2.95 OHM SMD
Seriect1008lsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz31 Min @ 7.9 MHz
Eigenresonanzfrequenz60MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount

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