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CT1008LSF-562J

CT1008LSF-562J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008LSF-562J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 µH, Nennstrom 380 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.82Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
380 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.82Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008LSF-562J.

Induktivität
5.6 µH

CT1008LSF-562J hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
380 mA

CT1008LSF-562J ist für 380 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.82Ohm

CT1008LSF-562J hat einen DC-Widerstand von 1.82Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität5.6 µH
Toleranz±5%
Nennstrom380 mA
DC-Widerstand (DCR)1.82Ohm
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 5.6UH 1.82 OHM SMD
Seriect1008lsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz31 Min @ 7.9 MHz
Eigenresonanzfrequenz80MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount

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