Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1206CSF-R12J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 260mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1206CSF-R12J.
CT1206CSF-R12J hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT1206CSF-R12J ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT1206CSF-R12J hat einen DC-Widerstand von 260mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 260mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 260 MOHM SMD |
| Serie | ct1206csf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Q bei Frequenz | 60 Min @ 300 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.1GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
