LogoMagdir
CT1812SMSF-R12J

CT1812SMSF-R12J

Central Technologies

-
PDF

Beschreibung

FIXED IND 120NH 10.7 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
10.7mOhm
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1812SMSF-R12J.

Induktivität
120 nH

CT1812SMSF-R12J hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CT1812SMSF-R12J ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10.7mOhm

CT1812SMSF-R12J hat einen DC-Widerstand von 10.7mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
-

CT1812SMSF-R12J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von -. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von CT1812SMSF-R12J weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±5%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)10.7mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen-
Gehäuse / Größe-
Gehäuse / Ausführung-
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 120NH 10.7 MOHM SMD
Seriect1812smsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
Abschirmung-
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz1.1MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau