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CT622LYF-4R7M

CT622LYF-4R7M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT622LYF-4R7M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 4.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 30mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
4.3 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT622LYF-4R7M.

Induktivität
4.7 µH

CT622LYF-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.3 A

CT622LYF-4R7M ist für 4.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm

CT622LYF-4R7M hat einen DC-Widerstand von 30mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.3 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 30 MOHM TH
Seriect622lyf
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz20 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz51MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

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