Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT622LYF-820J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom 1.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 230mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT622LYF-820J.
CT622LYF-820J hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT622LYF-820J ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT622LYF-820J hat einen DC-Widerstand von 230mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 1.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 230mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 230 MOHM TH |
| Serie | ct622lyf |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 30 Min @ 2.52 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.1MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Through Hole |
