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B82422A1823J108

B82422A1823J108

TDK

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A1823J108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom 70 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 10 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
82 µH
Nennstrom
70 mA
DC-Widerstand (DCR)
10 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A1823J108.

Induktivität
82 µH

B82422A1823J108 hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
70 mA

B82422A1823J108 ist für 70 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10 Ohm Max

B82422A1823J108 hat einen DC-Widerstand von 10 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität82 µH
Toleranz±5%
Nennstrom70 mA
DC-Widerstand (DCR)10 Ohm Max
LieferantTDK
BeschreibungSMT-INDUCTOR DE 82 UH 5%
Serie*
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz27 Min @ 2.52 MHz
Eigenresonanzfrequenz8 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz0.1 MHz

Vorschau