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CT916CYF-6R2M

CT916CYF-6R2M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT916CYF-6R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.2 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 310mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.2 µH
DC-Widerstand (DCR)
310mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT916CYF-6R2M.

Induktivität
6.2 µH

CT916CYF-6R2M hat eine Induktivität von 6.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
310mOhm

CT916CYF-6R2M hat einen DC-Widerstand von 310mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.2 µH
Toleranz±20%
DC-Widerstand (DCR)310mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.2UH 310 MOHM SMD
Seriect916cyf
ProduktstatusActive
MontageartSurface Mount

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