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CL1008-2685JUL4T

CL1008-2685JUL4T

Knowles Voltronics

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CL1008-2685JUL4T von Knowles Voltronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 125 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.133 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
125 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.133 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL1008-2685JUL4T.

Induktivität
6.8 µH

CL1008-2685JUL4T hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
125 mA

CL1008-2685JUL4T ist für 125 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.133 Ohm Max

CL1008-2685JUL4T hat einen DC-Widerstand von 3.133 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität6.8 µH
Nennstrom125 mA
DC-Widerstand (DCR)3.133 Ohm Max
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung1008 IND 6.8UH HIGH Q
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz20 Min @ 7.9 MHz
Eigenresonanzfrequenz40 MHz Min

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