Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTAC1008F-R12K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 320 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 63.4mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTAC1008F-R12K.
CTAC1008F-R12K hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTAC1008F-R12K ist für 320 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTAC1008F-R12K hat einen DC-Widerstand von 63.4mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 320 mA Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 63.4mOhm |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 63.4 MOHM SMD |
| Serie | ctac1008f |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Eigenresonanzfrequenz | 950MHz |
| Montageart | Surface Mount |
