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CTC0F-5R6J

CTC0F-5R6J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC0F-5R6J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 µH, Nennstrom 180 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.9Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
180 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.9Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC0F-5R6J.

Induktivität
5.6 µH

CTC0F-5R6J hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
180 mA

CTC0F-5R6J ist für 180 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.9Ohm

CTC0F-5R6J hat einen DC-Widerstand von 1.9Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität5.6 µH
Toleranz±5%
Nennstrom180 mA
DC-Widerstand (DCR)1.9Ohm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 5.6UH 1.9 OHM TH
Seriectc0f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz55 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz30MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

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