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CTC2F-5R6K

CTC2F-5R6K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC2F-5R6K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 µH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 400mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
500 mA
DC-Widerstand (DCR)
400mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC2F-5R6K.

Induktivität
5.6 µH

CTC2F-5R6K hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA

CTC2F-5R6K ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
400mOhm

CTC2F-5R6K hat einen DC-Widerstand von 400mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität5.6 µH
Toleranz±10%
Nennstrom500 mA
DC-Widerstand (DCR)400mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 5.6UH 400 MOHM TH
Seriectc2f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz40 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz49MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

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