Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC3F-100K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 580mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC3F-100K.
CTC3F-100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTC3F-100K ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTC3F-100K hat einen DC-Widerstand von 580mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 500 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 580mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 580 MOHM TH |
| Serie | ctc3f |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 70 Min @ 7.96 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 45MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Through Hole |
