LogoMagdir
CTC3F-101K

CTC3F-101K

Central Technologies

PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC3F-101K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 275 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.8Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
275 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.8Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC3F-101K.

Induktivität
100 µH

CTC3F-101K hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
275 mA

CTC3F-101K ist für 275 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.8Ohm

CTC3F-101K hat einen DC-Widerstand von 1.8Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von CTC3F-101K weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±10%
Nennstrom275 mA
DC-Widerstand (DCR)1.8Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 100UH 1.8 OHM TH
Seriectc3f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz30 Min @ 2.52 MHz
Eigenresonanzfrequenz4.8MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartThrough Hole

Vorschau