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CTC3F-4R7J

CTC3F-4R7J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC3F-4R7J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 620 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 390mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
620 mA
DC-Widerstand (DCR)
390mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC3F-4R7J.

Induktivität
4.7 µH

CTC3F-4R7J hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
620 mA

CTC3F-4R7J ist für 620 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
390mOhm

CTC3F-4R7J hat einen DC-Widerstand von 390mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±5%
Nennstrom620 mA
DC-Widerstand (DCR)390mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 390 MOHM TH
Seriectc3f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz70 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz80MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

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