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CTC4F-4R7J

CTC4F-4R7J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC4F-4R7J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 820 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) .34 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
820 mA
DC-Widerstand (DCR)
.34 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC4F-4R7J.

Induktivität
4.7 µH

CTC4F-4R7J hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
820 mA

CTC4F-4R7J ist für 820 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
.34 Ohm Max

CTC4F-4R7J hat einen DC-Widerstand von .34 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±5%
Nennstrom820 mA
DC-Widerstand (DCR).34 Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
Beschreibung4.7UH AXIAL CONF COATD INDUCTOR
Seriectc4f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz60 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz95 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

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