
CTCDEP147HF-R70M
Central Technologies
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCDEP147HF-R70M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 700 nH, Nennstrom 20 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.65mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCDEP147HF-R70M.
CTCDEP147HF-R70M hat eine Induktivität von 700 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTCDEP147HF-R70M ist für 20 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTCDEP147HF-R70M hat einen DC-Widerstand von 2.65mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTCDEP147HF-R70M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 700 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 20 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.65mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 46.4A |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Abmessungen | 0.591 L x 0.587 W (15.00mm x 14.90mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 700NH 20A 2.65 MOHM |
| Serie | CTCDEP147HF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.319 (8.10mm) |






