Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCDRH125F-1R3N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.3 µH, Nennstrom 8 A Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 12mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCDRH125F-1R3N.
CTCDRH125F-1R3N hat eine Induktivität von 1.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTCDRH125F-1R3N ist für 8 A Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTCDRH125F-1R3N hat einen DC-Widerstand von 12mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTCDRH125F-1R3N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.3 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 8 A Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 12mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 8A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.504 L x 0.504 W (12.80mm x 12.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1.3UH 12 MOHM SMD |
| Serie | CTCDRH125F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.236 (6.00mm) |
