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CTCH895F-102K

CTCH895F-102K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCH895F-102K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 mH, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.84Ohm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
1 mH
DC-Widerstand (DCR)
1.84Ohm Max
Abmessungen
0.307 Dia (7.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCH895F-102K.

Induktivität
1 mH

CTCH895F-102K hat eine Induktivität von 1 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
1.84Ohm Max

CTCH895F-102K hat einen DC-Widerstand von 1.84Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTCH895F-102K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 mH
Toleranz±10%
DC-Widerstand (DCR)1.84Ohm Max
Sättigungsstrom300mA
Abmessungen0.307 Dia (7.80mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1MH 1.84 OHM TH
SerieCTCH895F
ProduktstatusActive
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.374 (9.50mm)