Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTDR4F-102K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 mH, Gleichstromwiderstand (DCR) 216mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDR4F-102K.
CTDR4F-102K hat eine Induktivität von 1 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTDR4F-102K hat einen DC-Widerstand von 216mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTDR4F-102K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 mH |
| Toleranz | ±10% |
| DC-Widerstand (DCR) | 216mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 5.5A |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 1.500 Dia (38.10mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1MH 216 MOHM TH |
| Serie | CTDR4F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 1.031 (26.20mm) |
