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CTDR6F-103K

CTDR6F-103K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 10MH 4A 1.16 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 mH
Nennstrom
4 A
DC-Widerstand (DCR)
1.16Ohm Max
Abmessungen
2.000 Dia (50.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDR6F-103K.

Induktivität
10 mH

CTDR6F-103K hat eine Induktivität von 10 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4 A

CTDR6F-103K ist für 4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.16Ohm Max

CTDR6F-103K hat einen DC-Widerstand von 1.16Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTDR6F-103K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 mH
Toleranz±10%
Nennstrom4 A
DC-Widerstand (DCR)1.16Ohm Max
Sättigungsstrom2.6A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen2.000 Dia (50.80mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10MH 4A 1.16 OHM TH
SerieCTDR6F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)1.500 (38.10mm)
Merkmale-

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