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SBCP-80HY103HB

SBCP-80HY103HB

KEMET

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 10MH 100MA 19.1 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 mH
Nennstrom
100 mA
DC-Widerstand (DCR)
19.1Ohm Max
Abmessungen
0.374" Dia (9.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SBCP-80HY103HB.

Induktivität
10 mH

SBCP-80HY103HB hat eine Induktivität von 10 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
100 mA

SBCP-80HY103HB ist für 100 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
19.1Ohm Max

SBCP-80HY103HB hat einen DC-Widerstand von 19.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

SBCP-80HY103HB verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 mH
Toleranz±10%
Nennstrom100 mA
DC-Widerstand (DCR)19.1Ohm Max
Sättigungsstrom150mA
Betriebstemperatur-20°C ~ 105°C
Abmessungen0.374" Dia (9.50mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 10MH 100MA 19.1 OHM TH
SerieSBCP
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.433" (11.00mm)
Merkmale-

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