Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTH6EF-820K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom 580 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 600mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH6EF-820K.
CTH6EF-820K hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTH6EF-820K ist für 580 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTH6EF-820K hat einen DC-Widerstand von 600mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTH6EF-820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 580 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 600mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 330mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.160 Dia x 0.500 L (4.06mm x 12.70mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 580MA 600 MOHM TH |
| Serie | CTH6F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.1MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
