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CTH6EF-820K

CTH6EF-820K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 82UH 580MA 600 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
82 µH
Nennstrom
580 mA
DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max
Abmessungen
0.160 Dia x 0.500 L (4.06mm x 12.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH6EF-820K.

Induktivität
82 µH

CTH6EF-820K hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
580 mA

CTH6EF-820K ist für 580 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max

CTH6EF-820K hat einen DC-Widerstand von 600mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTH6EF-820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität82 µH
Toleranz±10%
Nennstrom580 mA
DC-Widerstand (DCR)600mOhm Max
Sättigungsstrom330mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.160 Dia x 0.500 L (4.06mm x 12.70mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 82UH 580MA 600 MOHM TH
SerieCTH6F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz4.1MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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