Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTH8F-820K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom 2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH8F-820K.
CTH8F-820K hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTH8F-820K ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTH8F-820K hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTH8F-820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3.1A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.469 Dia x 0.921 L (11.90mm x 23.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 2A 60 MOHM TH |
| Serie | CTH8F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 4MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
