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CTIHSM4825F-101L

CTIHSM4825F-101L

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 730MA 672 MOHM

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
730 mA
DC-Widerstand (DCR)
672mOhm Max
Abmessungen
0.520 L x 0.250 W (13.20mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTIHSM4825F-101L.

Induktivität
100 µH

CTIHSM4825F-101L hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
730 mA

CTIHSM4825F-101L ist für 730 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
672mOhm Max

CTIHSM4825F-101L hat einen DC-Widerstand von 672mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTIHSM4825F-101L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±15%
Nennstrom730 mA
DC-Widerstand (DCR)672mOhm Max
Sättigungsstrom500mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.520 L x 0.250 W (13.20mm x 6.35mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 100UH 730MA 672 MOHM
SerieCTIHSM4825F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.230 (5.84mm)
Merkmale-

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