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B82442T1104K050

B82442T1104K050

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 510MA 990 MOHM

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
510 mA
DC-Widerstand (DCR)
990mOhm Max
Abmessungen
0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82442T1104K050.

Induktivität
100 µH

B82442T1104K050 hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
510 mA

B82442T1104K050 ist für 510 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
990mOhm Max

B82442T1104K050 hat einen DC-Widerstand von 990mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82442T1104K050 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±10%
Nennstrom510 mA
DC-Widerstand (DCR)990mOhm Max
Sättigungsstrom760mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 100UH 510MA 990 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz6.1MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2220 (5650 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.209" (5.30mm)
Merkmale-

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