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CTIHSM5832F-101K

CTIHSM5832F-101K

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 680MA 452 MOHM

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
680 mA
DC-Widerstand (DCR)
452mOhm Max
Abmessungen
0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTIHSM5832F-101K.

Induktivität
100 µH

CTIHSM5832F-101K hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
680 mA

CTIHSM5832F-101K ist für 680 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
452mOhm Max

CTIHSM5832F-101K hat einen DC-Widerstand von 452mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTIHSM5832F-101K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±10%
Nennstrom680 mA
DC-Widerstand (DCR)452mOhm Max
Sättigungsstrom950mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 100UH 680MA 452 MOHM
SerieCTIHSM5832F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.285 (7.24mm)
Merkmale-

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