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CTLL1005F-FH33NJ

CTLL1005F-FH33NJ

Central Technologies

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 33NH 200MA 900 MOHM

Technische Daten

Induktivität
33 nH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max
Abmessungen
0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLL1005F-FH33NJ.

Induktivität
33 nH

CTLL1005F-FH33NJ hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

CTLL1005F-FH33NJ ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max

CTLL1005F-FH33NJ hat einen DC-Widerstand von 900mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

CTLL1005F-FH33NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität33 nH
Toleranz±5%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)900mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 33NH 200MA 900 MOHM
SerieCTLL1005F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz8 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz1.8GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.026 (0.65mm)
Merkmale-

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