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CTLVH2010F-6R8M

CTLVH2010F-6R8M

Central Technologies

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 820MA 438 MOHM

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
820 mA
DC-Widerstand (DCR)
438mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVH2010F-6R8M.

Induktivität
6.8 µH

CTLVH2010F-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
820 mA

CTLVH2010F-6R8M ist für 820 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
438mOhm Max

CTLVH2010F-6R8M hat einen DC-Widerstand von 438mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

CTLVH2010F-6R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom820 mA
DC-Widerstand (DCR)438mOhm Max
Sättigungsstrom960mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 820MA 438 MOHM
SerieCTLVH2010F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz19MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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