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VLS201610HBX-6R8M-1

VLS201610HBX-6R8M-1

TDK

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 880MA 558 MOHM

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
880 mA
DC-Widerstand (DCR)
558mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLS201610HBX-6R8M-1.

Induktivität
6.8 µH

VLS201610HBX-6R8M-1 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
880 mA

VLS201610HBX-6R8M-1 ist für 880 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
558mOhm Max

VLS201610HBX-6R8M-1 hat einen DC-Widerstand von 558mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

VLS201610HBX-6R8M-1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom880 mA
DC-Widerstand (DCR)558mOhm Max
Sättigungsstrom700mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 880MA 558 MOHM
SerieVLS-HBX-1
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806 (2016 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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