Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTLVH2012F-6R8M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 920 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 380mOhm Max, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVH2012F-6R8M.
CTLVH2012F-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTLVH2012F-6R8M ist für 920 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTLVH2012F-6R8M hat einen DC-Widerstand von 380mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTLVH2012F-6R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 920 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 380mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 920MA 380 MOHM |
| Serie | CTLVH2012F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 20MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047 (1.20mm) |
