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CTLVH2510F-100M

CTLVH2510F-100M

Central Technologies

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 900MA 435 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
900 mA
DC-Widerstand (DCR)
435mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVH2510F-100M.

Induktivität
10 µH

CTLVH2510F-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900 mA

CTLVH2510F-100M ist für 900 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
435mOhm Max

CTLVH2510F-100M hat einen DC-Widerstand von 435mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CTLVH2510F-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom900 mA
DC-Widerstand (DCR)435mOhm Max
Sättigungsstrom1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 900MA 435 MOHM
SerieCTLVH2510F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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