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CTMLP080504BF-1R0M

CTMLP080504BF-1R0M

Central Technologies

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 1.2A 120 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
120mOhm
Abmessungen
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMLP080504BF-1R0M.

Induktivität
1 µH

CTMLP080504BF-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

CTMLP080504BF-1R0M ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
120mOhm

CTMLP080504BF-1R0M hat einen DC-Widerstand von 120mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CTMLP080504BF-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)120mOhm
Sättigungsstrom650mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1UH 1.2A 120 MOHM SMD
SerieCTMLP080504BF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz3 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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