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CTMMP5026F-5R6M

CTMMP5026F-5R6M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP5026F-5R6M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 µH, Nennstrom 24 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 11.5mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
24 A
DC-Widerstand (DCR)
11.5mOhm
Abmessungen
0.543 L x 0.508 W (13.80mm x 12.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP5026F-5R6M.

Induktivität
5.6 µH

CTMMP5026F-5R6M hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
24 A

CTMMP5026F-5R6M ist für 24 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
11.5mOhm

CTMMP5026F-5R6M hat einen DC-Widerstand von 11.5mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität5.6 µH
Toleranz±20%
Nennstrom24 A
DC-Widerstand (DCR)11.5mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.543 L x 0.508 W (13.80mm x 12.90mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 5.6UH 24A 11.5 MOHM
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.264 (6.70mm)

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