CTMMP6826AF-4R7M

CTMMP6826AF-4R7M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP6826AF-4R7M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 41 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.8mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
41 A
DC-Widerstand (DCR)
4.8mOhm
Abmessungen
0.681 L x 0.665 W (17.30mm x 16.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP6826AF-4R7M.

Induktivität
4.7 µH

CTMMP6826AF-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
41 A

CTMMP6826AF-4R7M ist für 41 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.8mOhm

CTMMP6826AF-4R7M hat einen DC-Widerstand von 4.8mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom41 A
DC-Widerstand (DCR)4.8mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.681 L x 0.665 W (17.30mm x 16.90mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 41A 4.8 MOHM SMD
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.264 (6.70mm)

Vorschau

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