CTMMP73VCZF-4R7M

CTMMP73VCZF-4R7M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP73VCZF-4R7M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 35mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
9 A
DC-Widerstand (DCR)
35mOhm
Abmessungen
0.260 L x 0.287 W (6.60mm x 7.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP73VCZF-4R7M.

Induktivität
4.7 µH

CTMMP73VCZF-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
9 A

CTMMP73VCZF-4R7M ist für 9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
35mOhm

CTMMP73VCZF-4R7M hat einen DC-Widerstand von 35mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom9 A
DC-Widerstand (DCR)35mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.260 L x 0.287 W (6.60mm x 7.30mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 9A 35 MOHM SMD
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)

Vorschau

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