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CTP1330F-184K

CTP1330F-184K

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 180UH 261MA 2.4 OHM

Technische Daten

Induktivität
180 µH
Nennstrom
261 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm Max
Abmessungen
0.311 L x 0.128 W (7.90mm x 3.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTP1330F-184K.

Induktivität
180 µH

CTP1330F-184K hat eine Induktivität von 180 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
261 mA

CTP1330F-184K ist für 261 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm Max

CTP1330F-184K hat einen DC-Widerstand von 2.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTP1330F-184K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität180 µH
Toleranz±10%
Nennstrom261 mA
DC-Widerstand (DCR)2.4Ohm Max
Sättigungsstrom89mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.311 L x 0.128 W (7.90mm x 3.25mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 180UH 261MA 2.4 OHM
SerieCTP1330F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.142 (3.60mm)
Merkmale-

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