Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82432C1184K000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 180 µH, Nennstrom 120 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 6.9Ohm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82432C1184K000.
B82432C1184K000 hat eine Induktivität von 180 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82432C1184K000 ist für 120 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82432C1184K000 hat einen DC-Widerstand von 6.9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82432C1184K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 180 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 120 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 6.9Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD, J-Lead |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 180UH 120MA 6.9 OHM |
| Serie | SIMID |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 796kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 6MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1812 (4532 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
