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CTRL5480F-3-102K

CTRL5480F-3-102K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 1MH 246MA 2.16 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
1 mH
Nennstrom
246 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.16Ohm Max
Abmessungen
0.374 Dia (9.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-3-102K.

Induktivität
1 mH

CTRL5480F-3-102K hat eine Induktivität von 1 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
246 mA

CTRL5480F-3-102K ist für 246 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.16Ohm Max

CTRL5480F-3-102K hat einen DC-Widerstand von 2.16Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRL5480F-3-102K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 mH
Toleranz±10%
Nennstrom246 mA
DC-Widerstand (DCR)2.16Ohm Max
Sättigungsstrom390mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.374 Dia (9.50mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1MH 246MA 2.16 OHM TH
SerieCTRL5480F-3
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial, Vertical Cylinder
Höhe - sitzend (max.)0.449 (11.40mm)
Merkmale-

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